ОБ ИНСТИТУТЕ→Президиум РАН утвердил перечень Программ фундаментальных исследований РАН на 2018-2020 гг.

1. Выяснение механизма высокотемпературной сверхпроводимости и физической природы состояний на фазовых диаграммах.

1.1. Механизмы сверхпроводящего спаривания.

1.2. Роль топологии, близости к квантовым фазовым переходам и топологическим переходам.

1.3. Электронная зонная структура: учет межэлектронных корреляций, контролируемая модификация, измерения и  сопоставление с расчетом. Спектры фононов и других бозонных возбуждений.

1.4. Сосуществование и конкуренция спинового, орбитального упорядочения и сверхпроводящего спаривания

1.5. Псевдощелевое состояние, механизмы допирования и пространственная неоднородность электронных свойств.

1.6. Сверхпроводимость на наномасштабах: интерфейсная сверхпроводимость, сверхпроводимость в нанокластерах, на границе с топологически нетривиальными материалами

1.7. Структура сверхпроводящего параметра порядка ВТСП материалов.

2. Пути повышения критических параметров сверхпроводников. Создание новых  ВТСП материалов и исследование их свойств.

2.1. Химические и физические подходы для поиска новых ВТСП материалов

2.2. Соединения с легкими элементами, в т.ч. в условиях сверхвысокого давления.

2.3. Новые ВТСП материалы (объемные, пленочные, нано- и гетероструктуры) и их свойства.

2.4. Кристаллическая структура новых ВТСП материалов, фазовые и структурные превращения, фазовый, элементный состав, расслоение и упорядочение  на наномасштабах

2.5. Сосуществование и конкуренция магнетизма и сверхпроводимости в новых ВТСП материалах.

2.6. Спектроскопия новых ВТСП материалов (ARPES, андреевская, микроконтактная, зондовая, ИК-, мессбауэровская, ЯМР, ЭПР-спектроскопия и др.)

2.7. Вихревая структура, пиннинг в новых ВТСП материалах.

2.8. Влияние дефектов на сверхпроводящие свойства ВТСП материалов.

3. Физические основы новых технологий ВТСП материалов и устройств

3.1. ВТСП джозефсоновские контакты, интегральные схемы из массивов ВТСП джозефсоновских контактов. Трехмерные «джозефсоновские среды». ВТСП СКВИДы.

3.2. Многослойные и гибридные структуры со слоями ВТСП, топологических изоляторов, полуметаллов, ферромагнетиков.

3.3. ВТСП электроника ТГц и СВЧ диапазона

3.4. Спектрометры суб-мм диапазона на основе ВТСП переходов

3.5. Технологии создания ВТСП проводников  на основе  новых синтезируемых  ВТСП материалов

3.6. Генерация сильных и сверхсильных магнитных полей (25-30-40Т), высокостабильных и однородных магнитных полей.

Представляемые проекты должны соответствовать основным направлениям исследований, перечисленным выше, и иметь фундаментальный характер. Чисто прикладные работы не рассматриваются. Название проекта и содержание работ по проекту в 2018 г. и последующих годах не должно совпадать с содержанием работ по госзаданиям, грантам РНФ и РФФИ. Ученый может подать только одну заявку в качестве руководителя проекта. Срок выполнения проекта – не более 3-х лет. Форма Заявки приведена в файле <Proposal_Form-2018>.

Срок представления Заявок – до пятницы 4 августа 2017 г.

 

Заявки представляются по электронной почте Иваненко Ольге Михайловне по адресу: